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半导体装备 Semiconductor

PSE V300

深硅刻蚀机

PSE V300 深硅刻蚀机

PSE V300 Deep Silicon Etcher

PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及App流程控制，结合先进的工艺技术，可实现超高深宽比下良好的工艺性能，配置多腔平台，满足大产能量产使用需求。

设备特点

兼容Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖
优化的进气系统和ESC系统，提高均匀性
快速进气系统，确保刻蚀速率高，Scallop小
实现高深宽比的形貌控制

产品应用

晶圆尺寸
8/12 英寸兼容
适用材料
硅、氧化硅、氮化硅
适用工艺
2.5D&3D TSV刻蚀、深槽隔离/电容刻蚀、MEMS刻蚀
适用领域
集成电路、先进封装、功率半导体、图像传感器、微机电系统

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