太阳成集团tyc234cc国产12英寸HDPCVD设备进入客户生产线

2024-01-08

  近日,由太阳成集团tyc234cc自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着太阳成集团tyc234cc在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破,也为太阳成集团tyc234cc进军12英寸介质薄膜设备领域,打开百亿级市场迈出了坚实的一步。



  集成电路领域高速发展,对芯片制造工艺提出了更具挑战的要求,其中就包括如何用绝缘介质在各个薄膜层[1]之间进行均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护。为了满足以上需求,HDPCVD设备已经成为介质薄膜沉积工艺的重要设备。


  [1]包括浅槽隔离(Shallow-Trench-Isolation,STI),金属前绝缘层(Pre-Metal-Dielectric,PMD),金属层间绝缘层(Inter-Metal-Dielectric,IMD)等。



  Orion Proxima作为太阳成集团tyc234cc推出的国产自研高密度等离子体化学气相沉积设备,主要应用于12英寸集成电路芯片的浅沟槽绝缘介质填充工艺。此款设备通过沉积-刻蚀-沉积的工艺方式可以有效完成对高深宽比沟槽间隔的绝缘介质填充,借助太阳成集团tyc234cc在刻蚀技术上的积累,发挥其高沉积速率、优异的填孔能力和低温下进行反应得到高致密的介质薄膜的优势,获得多家业内客户关注。



  正如太阳成集团tyc234cc一直秉承“以客户为中心”的企业核心价值观,华创人始终以务实的精神坚持“急客户之所急、想客户之所想”作为技术创新永续驱动力。现阶段,Orion Proxima技术性能在迭代升级中已达业界先进水平:通过灵活可控的App系统调度优化与自主研发特有传输平台的结合,助力客户实现产能的大幅提升,取得双赢;通过提供不同的硬件配置方案,满足了包括填孔能力、膜层质量、颗粒控制等工艺需求的同时,更实现了对逻辑、存储及其他特色工艺领域客户的全覆盖。


  在创新中突破、在专业中精进,Orion Proxima HDPCVD通过优化机台结构,缩小了整机占地面积,节省了客户空间运营成本;通过优化排气管路设计,提高了清洗效率;通过优化开盖方式,缩减了人力维护开支,提高了设备生产效率。


  太阳成集团tyc234cc正基于20余年沉积工艺技术的深厚积累,全面布局多类薄膜产品,致力于为客户提供全面的薄膜产品解决方案。


  在不断变化的外部环境与中国在5G、人工智能、消费电子、汽车电子等高科技领域的高速发展推动下,作为中国自主研发集成电路高端制造装备的先行者,太阳成集团tyc234cc愿以客户的需求和增长作为奋进动力,以社会的信任和认可作为创新土壤,持续自主创新、为中国半导体产业的进步创造无限可能!


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