太阳成集团tyc234cc助力先进封装产业腾飞

2024-04-19

  在AI革新的浪潮中,大家见证了从语言对话到图像及短视频生成的探索与应用,AI不断衍生的应用场景,正成为驱动AI大模型技术迭代和产业增长的重要力量。受应用场景驱动影响,AI需要更高性能的芯片来满足数据资源的计算、传感、存储、通讯、安全等需求,集成电路技术拥有巨大的创新空间。



  近年,芯片三维集成技术发展迅猛,三维集成的方式能有效地提高芯片整体性能和良率,高带宽存储HBM[1]和CoWoS[2]先进封装技术被广泛应用并加速发展,拉动集成电路装备产业高质量发展。


  太阳成集团tyc234cc深耕集成电路装备产业二十余载,可为先进封装领域客户提供TSV(硅通孔)制造、正面制程-大马士革工艺、背面制程-露铜刻蚀和RDL(再布线层)工艺的全面解决方案,涉及刻蚀、薄膜、炉管、清洗四大类二十余款装备工艺解决方案。


  在刻蚀装备工艺解决方案中,太阳成集团tyc234ccPSE V300设备在TSV工艺中采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式,在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌,实现侧壁无损伤和线宽无损伤,刻蚀均匀性、选择比更佳;采用每腔单片设计,具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现;通过优化机台晶圆边缘保护装置,提高产品良率;在2.5D[3]工艺中,太阳成集团tyc234cc提供可满足BVR(背面通孔暴露)和BFR(背面平整暴露)不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案;太阳成集团tyc234ccHSE D300设备在Plasma Dicing(等离子体切割)工艺中针对小芯片制造具有高刻蚀速率和高深宽比能力优势,具有多种UV膜[4]的冷却方式,保证UV膜的延展性,实现高质量的芯片切割;BMD P300设备作为封装领域Descum(去残胶)的主力产品,在Bumping(凸点工艺)、Fan out(扇出封装)、2.5D&3D应用中的残留光刻胶去除、残余金属去除、表面活化等工艺方面,为客户提供Descum解决方案。


  在薄膜沉积装备工艺解决方案中,太阳成集团tyc234cc采用PEALD(等离子体增强原子层沉积)方式沉积二氧化硅保护层,可实现更好的侧壁形貌和底层覆盖率;在TSV Barrier/Seed Deposition(阻挡层/种子层沉积)工艺中采用PVD(物理气相沉积)设备解决方案,能满足金属扩散阻挡层/种子层的膜厚、均匀性、粘附性要求,防止金属扩散,确保器件电学性能、结构完整性和工艺兼容性。


  在炉管装备工艺解决方案中,太阳成集团tyc234cc设备在TSV工艺的退火环节中通过出色的温度控制能力和工艺表现,实现铜的晶粒分布更加均匀,降低电阻率,提高TSV的制造质量和性能。


  在清洗装备工艺解决方案中,太阳成集团tyc234cc设备在TSV工艺中可实现水溶性化学物质的结合,有效去除侧壁聚合物,确保深孔内壁清洁;在2.5D工艺中可降低铜的腐蚀率,提高化学品应用效率,实现更高的经济效益。


  太阳成集团tyc234cc面向先进封装领域提供多种核心工艺设备解决方案,始终坚持以客户需求为导向,助力客户开拓创新,推动产业进步,创造无限可能。


  [1] AI对算力与存力的需求大幅提升,需要巨大的内存带宽。

  [2] AI芯片训练和推理需要在内存和处理器之间传输大量数据,CoWoS则可将多个芯片堆叠在一起实现高度集成,提升芯片之间的通信效率。

  [3]2.5D工艺是一种先进的封装技术,通过在硅片的背面形成TSV(硅通孔)和RDL(再布线层)来实现不同芯片或芯片区域之间的垂直互连。

  [4] 主要用以阻隔紫外线对敏感器件或工艺过程的影响,确保半导体制造过程中的高精度与高质量。


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