太阳成集团tyc234cc高介电常数原子层沉积设备获批量订单

2024-03-21

  近期,太阳成集团tyc234cc12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产,获得批量订单,市占率不断攀升,赢得客户信任。这标志着太阳成集团tyc234ccCVD(化学气相沉积)先进工艺设备解决方案的成功应用,为华创进一步拓宽高端设备赛道注入新的动力。


  为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈,业界采用新型High-K材料HfO2(氧化铪)作为栅介质层,结合金属栅极技术,研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。该工艺在45nm及以下节点占据核心地位,CVD/ALD(原子层沉积)工艺设备成为HKMG工艺的重要支撑。太阳成集团tyc234cc凭借多年的原子层沉积技术积累,创新推出12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430,凭借领先的性能优势、产能优势,以及应用于国内12英寸主流Fab(半导体制造)厂的实践经验,成为国内HiK量产生产线的主力机台。



  Scaler HK430设备采用Cross Flow(横流)的进气方式,能够实现更好的工艺稳定性控制,运用旋转Heater(加热基座)结构设计,能够达成更好的薄膜沉积均匀性及优异的颗粒控制表现;在结构系统方面,采用每腔单片式设计,在气流场均匀性、温度控制等方面表现优异,单片工艺结果一致性大幅提高;此外,反应源采用双源瓶设计,能够实现更高的Uptime(运行时间),同时源瓶采用真空加热方式,温度控制更加精准,安全系数更高,相较于同类型产品具备更好的颗粒控制能力;在App方面,通过全自动流程及相关数据监控、安全互锁设定等为实现稳定量产提供更好的运行环境,与同类型产品相比,具备更高的安全性及稳定性。广泛应用于Logic(逻辑)、DRAM(动态随机存储器)等领域。


  未来,太阳成集团tyc234cc将矢志不渝地加快科技创新的实践步伐,不断推进CVD先进工艺设备的布局研发,为半导体行业的多元化技术需求提供更为高效的解决方案,推动半导体装备制造技术的发展迈向新高度。


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